精實新聞 2010-02-09 08:49:18 記者 郭妍希 報導

美光(Micron Technology, Inc.)於美東時間8日上午11時發布新聞稿宣布，該公司已與南科(2408)共同開發出採用42奈米製程技術的2Gb DDR3記憶體，而3X奈米製程技術也正在研發當中。費城半導體指數成分股美光(Micron)8日聞訊逆勢上漲2.41%，收8.91美元。

根據新聞稿，42奈米製程技術不但能維持生產成本效率，還可令記憶體擁有低耗電、高效能、高密度與晶片尺寸縮小的優點。此外，42奈米製程技術也可將伺服器的記憶體耗電量減少最多30%。

美光指出，上述42奈米製程2Gb DDR3預計可在2010年第2季開始送樣，並於2010年下半年開始量產。

三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd.)甫於2月1日宣佈，業界首見30奈米製程DDR3剛剛通過客戶評估，預計在2010年下半年量產。新款DDR3將應用在伺服器、筆記型電腦、桌上型電腦以及次世代的小筆電/行動裝置。三星電子指出，30奈米製程DDR3生產效率較40奈米高出60%，30奈米2Gb DRAM耗電量僅有50奈米產品的70%。應用於新世代筆記型電腦的4GB 30奈米模組每小時耗電量僅有3瓦。